前言

        22年，歐洲半導體行業材料設備行業行業告終連續性高擴大，進設定時間段。與此建立價格對比，在新再生資源新汽車、太陽能發電、微電網等所需帶動力下，再次代半導體行業材料設備行業行業保證繞城高速個人成長，歐洲化產生鏈系統還在建立，競爭者激烈大格局漸漸制訂，行業邁進最快個人成長期。而中國內地再次代半導體行業材料設備行業行業途經項目前期生生產量力召開會議和產線設計，日本產品的牌再次代半導體行業材料設備行業產品的先后制作完美并實現核驗，系統穩步推進加快，生生產量力連續增加，日本產品的牌炭化硅(SiC）器材及功能模塊已經“上機”，風景林系統日漸改善，自動人工控制工作能力連續資料，整體風格競爭者激烈實力逐步加快。

1、產能釋放，第三代半導體產業即將進入”戰國時代”

       《2022一代半導體設備器件技術行業財產快捷發展行業報告》信息顯示，22年我國一代半導體設備器件技術行業工作電壓手機器件和徽波加熱rfrf頻射rfrf頻射兩位業務領域保持總產量141.7億美元，較明年的增加11.7%，擴產不斷地減少。另外，SiC擴產的增加成長，GaN擴產的增加超30%，新增加股權投資擴產計劃書較明年同比生長率的增加36.7%。一同，逐漸電動四輪新汽車的股票茶葉行業市場快捷的增加，光伏系統、儲熱實際需求提升，22年我國一代半導體設備器件技術行業工作電壓手機器件和徽波加熱rfrf頻射rfrf頻射的股票茶葉行業市場總規模化可達194.1億美元，較明年的增加34.5%。另外，工作電壓半導體設備器件技術行業的股票茶葉行業市場超105.10億美元，徽波加熱rfrf頻射rfrf頻射的股票茶葉行業市場約88.3000萬美元。

        預期，202兩年將是第一代半導體芯片獨樹一幟的年 ，整個市場將印證一位“技術設備加快突飛猛進、第三產業加快增長率、整體空間格局大切牌”的“西漢21世紀”。

2、SiC、GaN功率器件成為支撐電子信息技術發展的生力軍

        作為新一代半導體材料，碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）具有傳統Si材料無可比擬的優勢，其禁帶寬度是Si的3倍左右，擊穿場強約為Si的10倍，功率高、載流子遷移率高、飽和電子速度快、耐高溫高壓、高能效、低損耗等優異特性，滿足高電壓、高頻率場景。

        從新能源汽車到光伏儲能，從軌道交通到移動電源，從數據中心到通訊基站，基于第三代寬禁帶半導體材料的功率器件發揮著關鍵作用。功率半導體器件是電力電子技術發展的重要組成部分，是電力電子裝置實現電能轉換、電源管理的核心器件，主要功能有變頻、變壓、整流、功率轉換和管理等，兼具節能功效。尤其是在目前技術競爭和節能環保的大環境下，第三代半導體已經成為全球大國博弈的焦點。

        還有就是，三、代寬禁帶光電器件行業素材的探索也持繼推進著LED燈飾照明燈具產業的發展化的反復開發，從Mini-LED到Micro-LED，持繼后果光電器件行業燈飾照明燈具產業的發展化，所以在大效率離子束器、太陽光的紫外線消菌/偵測教育領域發揮出比較偏重要的做用。

3、SiC、GaN布局提速，功率器件靜態參數測試如何破局？

        當下，功效半導元件貿易市場反映出ibms化和模快化、高耐磨性和高可信度性、多電平方法、新款元件框架和生產技術、智慧化和可相空間等經濟未來發展浪潮和經濟未來發展中心點。功效半導元件為選用于苛求大環境下的高功效密度計算元件，對元件可信度性想要生活于全部半導元件的四個堅持。往往，對元件脫貧的耐磨性測評軟件想要、合適安全使用消費場景的可信度性測評軟件前提相應精確的已過期研究辦法將有效地的增加功效半導元件商品的耐磨性及可信度性行為。

        不同材料、不同技術的功率器件的性能差異很大。市面上傳統的測量技術或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求。但是寬禁帶半導體器件碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）的技術卻極大擴展了高壓、高速的分布區間，如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態特性，這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰。

4、基于國產化數字源表的SiC/GaN功率半導體器件靜態參數測試解決方案

        靜態參數主要是指本身固有的，與其工作條件無關的相關參數。靜態參數測試又叫穩態或者DC（直流）狀態測試，施加激勵(電壓/電流)到穩定狀態后再進行的測試。主要包括：柵極開啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏級間耐壓、源極漏級間漏電流、寄生電容(輸入電容、轉移電容、輸出電容)，以及以上參數的相關特性曲線的測試。

        圍繞第三代寬禁帶半導體靜態參數測試中的常見問題，如掃描模式對SiC MOSFET 閾值電壓漂移的影響、溫度及脈寬對SiC MOSFET 導通電阻的影響、等效電阻及等效電感對SiC MOSFET導通壓降測試的影響、線路等效電容對SiC MOSFET測試的影響等多個維度，針對測試中存在的測不準、測不全、可靠性以及效率低的問題，普賽斯儀表提供一種基于國產化高精度數字源表(SMU)的測試方案，具備更優的測試能力、更準確的測量結果、更高的可靠性與更全面的測試能力。具有高電壓和大電流特性、μΩ級導通電阻精確測量、nA級電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

①P300高精度脈沖源表

- 脈沖直流，簡單易用

- 使用范圍廣，高至300V低至1pA- 不大脈沖信號凈寬200μs- 精準度為0.1%

②E系列高電壓源測單元

- ms級上升沿和下降沿

- 單臺最大的3500V電流值的輸出(可初始化10kV)- 檢測的感應電流低至1nA- 強度度為0.1%

③HCPL 100高電流脈沖電源

- 輸出的電流值達1000A- 數臺串并聯高達6000A- 50μs-500μs的智能長寬比可控- 脈沖造成的邊沿陡(典例用時15us)- 兩路口關聯測試的電壓(0.3mV-18V)

        而GaN HEMT器件主要工作于大功率、高效率的微波毫米電路中，其機理相對更為復雜，主要體現在器件陷阱效應和自熱效應中。GaN HEMT器件的陷阱效應會引起柵和漏滯后效應，不利于建模工作和器件射頻應用；而自熱效應主要體現在脈寬對GaN HEMT器件測試的影響。因此，針對氮化鎵(GaN)包括砷化鎵(GaAs)等材料構成的高速器件的I-V測試，普賽斯儀表全新推出的CP系列脈沖恒壓源可以高效快速解決測試難題。

①CP系列脈沖恒壓源

         

- 電流/脈沖造成的兩種方式電壓值輸出形式 - 大單脈沖電壓，極高可至10A- 超窄脈寬，低至100ns- 插卡式設置，1CH/插卡，極限支持軟件10車道

        普賽斯儀表專業研究和開發半導體材料與器件測試的專業智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業鏈。推出基于高精度數字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態參數測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現功率半導體器件靜態參數的高精度、高效率測量和分析。

*位置圖片原因：公開透明姿料歸類

*個部分檔案資料渠道：國內 劃算時報《我們國家再者代半導體材料家產綜合入駐發展期》郭錦輝

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