盛夏已過，初秋開場

8月的高的溫度還是始終不散生命也免失敗被復雜的工作的咒印

髙壓大電功率(6500V/3000A)IGBT各種測試難？伴因為投資項目訴求急、工作任務重、必須高工程建設師們的壓力山大...

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搞懂這幾個問題，輕松解決測試難題！

1、IGBT從硅(Si)到碳化硅(SiC)，測試條件向高壓大功率轉變

SiC絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，飽和電子漂移速率是Si的2倍；與600V～900V的Si MOSFET 相比，SiC MOSFET能夠實現“高耐壓”、“低導通電阻”、“高頻”這三個特性。因此，高壓大功率的IGBT單管、半橋模塊，測試條件需要達到6500V/3000A。

2、掃描模式對閾值電壓漂移的影響

主要是因為SiC與Si特征參數的與眾不同，SiC MOSFET的域值電壓電流電流降具備著時好時壞界定，在集成電路芯片自測方式中域值電壓電流電流降會看不出漂移，產生其電性能方面自測及及高溫柵偏試驗臺后的電自測結果嚴峻依賴癥于自測生活條件。故此域值電壓電流電流降的精準的自測，現行標準穩定安全性自測措施有：

3、脈寬和溫度對導通電阻的影響

導通電容 RDSon為的影響元器件封裝事業時導通損耗費的一極為重要特征描述規格，其計算結果會隨 VGS 或者T的轉變 而變動。

4、FIMV、FVMI 對測試的影響

限流保證可以將電壓值并且電流大小上限在SOA區域中，不要元器破損或炸管。

各種測試的條件：800V 恒壓 10μA 限流

測試圖片要求：100μA 恒流1000V限壓

5、等效電阻對導通壓降測試的影響

? 開爾文（Kelvin）相電壓電流測定電路系統將增長導通相電壓測定準確度；? SOCKET與PIN觸及功率阻值、測試圖片引線導通功率阻值。

6、等效電感對導通壓降測試的影響

? 電感過大，感應電流波型振動；? 電纜線等效電感、DUT等效電感。

7、線路等效電容對測試的影響

? 普通型同軸拖鏈電纜的等效電阻與DUT串聯，SMU自測時增加各類穩定性精力長；? 三同軸高壓電纜等效電容（電容器）近乎為0。

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